Дипломная работа: Охоронна сигналізація з GSM-каналом
Мінімальний
ефективний діаметр контактної площадки:
|
|
(4.6) |
- максимальний
діаметр просвердленого отвору; - ширина поясу
навколо контактної площадки; - похибка розташування
центра отвору відносно вузла координатної сітки; - похибка
розташування центра контактної площадки щодо вузла кординатної сітки;
|
|
(4.7) |
- допуск на
діаметр отвору;
;
;
;
5.
Визначення ширини провідника.
|
|
(4.8) |
- граничне
значення для 3-го класи точності;
6.
Визначення мінімальної відстані між провідником і контактною площадкою.
|
|
(4.9) |
- відстань між
центрами елементів (крок координатної сітки); - максимальний
діаметр контактної площадки; - максимальна
ширина провідника; - похибка
розташування центра контактної площадки відносно вузла координатної сітки; - похибка зсуву
провідника відносно координатної сітки.
Рис. 4.2
7. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми провідниками.
|
|
(4.10) |
8. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми
контактними площадками.
|
|
(4.11) |
;
9. Визначення відстані між провідником і контактною
площадкою (у випадку, якщо провідник проходить між двома контактними
площадками):
|
|
(4.12) |
Розраховане
значення більше ніж значення , що визначено третім
класом, тому провідник, прокладений між двома контактними площадками, не буде
дотикатися жодної контактної площадки.
Розраховані
елементи друкованого монтажу відповідають обраному класу точності монтажу. У
цьому можна переконатися за даними порівняльної таблиці 4.1.
Таблиця
4.1 Розраховані параметри
|
Розраховане значення |
Граничне значення для 3-го
класи точності монтажу |
bпр
|
0,35 мм
|
0,25 мм
|
Smin
|
0,21 мм; 0,8 мм;
0,9 мм; 0,33 мм
|
0,25 мм
|
bП0
|
0,1 мм
|
0,1 мм
|
Кдт
|
0,8 мм/1,5 мм
= 0,53 |
0,33 |
5. Електричний
розрахунок друкованої плати
1. Визначимо
припустимий спад напруги на друкованому провіднику:
|
|
(5.1) |
де ; ; ; ;
2. Визначимо
потужність втрат в ДП:
|
|
(5.2) |
де - оскільки
розрахунок ведемо на постійному струму; - напруга
живлення; - тангенс кута
діелектричних втрат.
|
|
(5.3) |
- діелектрична
проникність матеріалу; ; - товщина ДП; - площа
металізації; ;
.
3. Визначимо
паразитну ємність між двома сусідніми провідниками, розташованими з одного боку
ДП:
а)
для випадку, коли обидва провідники перебувають в одному шарі:
де Кп
- коефіцієнт
пропорційності, пФ/см (в нашому випадку Кп=0,15); ε - діелектрична
проникність середовища (в нашому випадку ε =5,5); L1 - довжина взаємного
перекриття провідників, см (в нашому випадку L1 =5)
Тоді:
Спар
= Кп∙ ε∙ L1 =0,15.5,5.5=4,22
пФ;
б) у
випадку, коли два провідники знаходяться в різних шарах:
де Кп
- коефіцієнт
пропорційності, пФ/см (в нашому випадку Кп=0,2); ε - діелектрична
проникність середовища (в нашому випадку ε =5,5); L1 - довжина взаємного
перекриття провідників, см (в нашому випадку L1 =1,27).
Тоді:
Спар
= Кп∙ ε∙ L1 =0,2.5,5.1,27=1,39
(пФ)
4. Визначимо
паразитну індуктивність шини живлення й шини «земля»:
[мкГн]
|
(5.6) |
де lп
– довжина максимальної області (довжина шини живлення); bnp =
0,35 мм – ширина провідника; tnp = 0.0965 мм - товщина провідника.
Тоді
Таким чином, розроблена
ДП задовольняє заданим умовам, оскільки отримані розрахункові значення
найважливіших електричних параметрів не перевищують припустимих значень для
ДДП.
6.
Розрахунок теплового режиму
Метою
даного розрахунку є перевірка необхідності використання додаткових елементів
(радіаторів) для розсіювання тепла, що виділяється елементами схеми.
Розрахунок
теплового режиму для контролера АТ89С2051 і АТTINY2313.
Контролери
мають наступні параметри (таблиця 6.1):
Таблиця
6.1 Параметри мікроконтролерів
Контролер |
Струм споживання Iспож,
мА
|
Напруги U, В |
Припустима температура
кристала мікросхеми Tдоп. ºС
|
Тепловий опір
пластмасового корпусу Rтепл. пл. ºС / Вт
|
АТ89С2051 |
25 |
6,6 |
85 |
110 |
АТTINY2313 |
20 |
5,5 |
85 |
110 |
Отже
розсювана потужність:
Pроз
АТ89С2051= I. U = 6,6.25 = 165 (мВт)
Pроз
АТTINY2313= I. U = 5,5.20 = 110 (мВт)
Для
розрахунку приймемо максимальну температуру з технічного завдання Tокр..=
40 ºС.
Розрахуємо
температуру кристала:
Tкр. =Tокр..+ Pрас. × Rтепл. пл
|
(6.1) |
Tкр
АТ89С2051.= 40 + 0,165 ×110 = 58,15ºС
Tкр
АТTINY2313.= 40 + 0,11 ×110 = 52,1ºС
Оскільки
Tкр. < Tдоп., то корпус мікросхеми розсіює задану
потужність без перегріву і в додаткових засобах тепловідводу потреби немає.
7.
Розрахунок на віброміцність
Віброміцність
- здатність пристрою протистояти протягом терміну служби
прискоренням, що виникають при руйнівній дії вібрації в заданих діапазонах
частот.
Вібростійкість
- здатність пристрою виконувати свої функції в умовах вібрації в
заданих діапазонах частот і прискореннях, що виникають при цьому.
Визначимо віброміцність спроектованої ДП зі склотекстоліту
розміром 80×62.5×1,5 мм. Вважаємо, що радіоелементи на ДП
розміщені рівномірно.
1.
Визначення
маси ДП і маси ЕРЕ:
де a, b -
геометричні розміри плати (а = 0,08 м, b = 0,0625 м); δпп –
товщина ДП (δст = 1,5 мм); ρст – щільність
склотекстоліту (ρст = 2050 кг/м3);
mпп = 0.0625.0.08.0.0015.2050
=15,4 10-3 кг = 15,4 г.
Конструктивні елементи представлені в таблиці 7.1.
2. Визначимо
коефіцієнт впливу Кв, що враховує співвідношення маси ЕРЕ й маси
плати:
|
(7.2) |
3.
Визначимо, коефіцієнт α, вважаючи, що ДП шарнірно опирається по контуру:
,
|
(7.3) |
де a, b -
геометричні розміри плати, а = 0,08 м, b = 0,0625 м
Таблиця 7.1 Розрахунок загальної маси елементів
Найменування елемента |
Тип елемента |
Кількість, шт. |
Маса, г |
1
|
2
|
3
|
4
|
Діоди |
1N4007 |
7 |
7*0,24 = 1.68 |
1N4148 |
2 |
2*0,24 = 0,48 |
Стабілізатор |
78L05 |
1 |
3 |
Конденсатори |
|
|
|
- електролітичні |
ECR |
2 |
2*1,2 = 2,4 |
- керамічні |
C 0603 |
10 |
10*0,3 = 3 |
Резистори |
R 0805–0,125Вт |
19 |
19*0,25=4,75 |
Мікроконтролер |
АТ89С2051 |
1 |
4 |
ATTINY2313 |
1 |
4 |
Кварцовий резонатор |
KX-3Н |
1 |
4 |
HC 49U |
1 |
4 |
Світлодіоди |
GNL-014SRD, GNL-3014 |
2 |
2*0,15=0,3 |
Перемикачі |
SWD 1–4 |
1 |
3 |
Кнопки |
PS580L/N |
1 |
3 |
Транзистори |
2N3904A |
2 |
2*0,35=0,7 |
BSS295 |
2 |
2*0,35=0,7 |
Роз’єми |
PLS-6 |
1 |
2 |
PLS-8 |
1 |
3 |
STB 1–12 |
1 |
5 |
Батарея |
Крона |
1 |
10 |
|
|
Σ |
59,01 |
4.
Визначимо циліндричну жорсткість:
|
(7.4) |
де Е – модуль Юнга, Е = 3.02.1010 Па;
μ -
коефіцієнт Пуасона, μ =0.22.
(Н∙ м)
5.
Визначимо частоту власних коливань:
|
(7.5) |
де g – прискорення вільного падіння, g=9.8 м/с2;
- питома вага 2,05.
(Гц)
6. Визначимо амплітуду вібрації на частоті власних коливань:
,
|
(7.6) |
де n -
коефіцієнт перевантажень; при n = 8g:
(мм)
Таблиця 7.1
n |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
A |
0,002 |
0,003 |
0,004 |
0,005 |
0,006 |
0,007 |
0,0081 |
0,0091 |
0,01 |
7.
Визначимо коефіцієнт динамічності, що показує в скільки разів амплітуда
змушених коливань, відрізняється від амплітуди коливань на власній частоті:
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
|